Bară de diode laser G-Stack 400W 976nm
Barele de diodă laser G-Stack de înaltă putere răcite prin conducție QCW cu 2 până la 12 bari la o putere optică de ieșire de 100 până la 250 W per bar (@ 808 sau 940 nm) oferă calitate și fiabilitate înaltă.
Caracteristici:
Chipsuri semiconductoare fabricate în Germania
Lipire AuSn de dimensiune compactă
Durată lungă de viață Putere mare Spectru îngust
Aplicatii:
Fasciculele laser de la modulele de diode laser stivuite orizontale pot focaliza folosind prisme și lentile într-un punct luminos sau dreptunghi sau linie care are o densitate mare de energie optimizată pentru dermatologie/estetică, detecție, apărare și aplicații de prelucrare a materialelor, cum ar fi prelucrarea metalelor, sudarea, tratament termic și marcare.
Fișa cu date:
Nr. articol: CC976HA400
| Optic | |
| Lungimea de undă centrală | 976±10nm |
| Putere de ieșire | 400W |
| Modul de lucru | QCW |
| Divergența rapidă a axei (FWHM) | 50 de grade |
| Divergență lentă a axei (FWHM) | 10 grade |
| Lățimea spectrală FWHM | 6nm |
| Frecvenţă | 1-5hz |
| Lățimea pulsului | 5-6ms |
| Ciclul de funcționare | ＜2% |
| Electric | |
| Curent de funcționare Iop | 400A |
| Curent de prag Ith | 60A |
| Tensiune de operare Vop | 2V |
| Eficiența conversiei puterii | 50% |
| Termic | |
| Temperatura de operare | -45-+60 grad |
| Temperatura de depozitare | -55-+85 grad |
Desen pachet:
Tag-uri populare: Furnizori de bare de diode laser 400w 976nm g-stack, producători China, fabrică, en-gros, fabricate în China