Chip bară laser cu diodă 100W 780nm
Caracteristici:
Lipibilitate excelentă
Eficiență ridicată de conversie
Lungime de undă de 780 nm cu reflectivitate scăzută
Putere CW: 100 W/bar, putere QCW: 300 W/bar
Bara goală de 780 nm poate fi împachetată cu 60 W 80 W 100 W montată pe CS și diodestack vertical de până la 7200 W
Specificație:
Articol nr.: LC780SB100
| Optic | Tip |
| Lungimea de undă centrală | 785 nm |
| Putere de iesire | 100W |
| Mod de lucru | CW |
| Lățimea spectrului | 4nm |
| Numărul emițătorului | 47 |
| Lățimea emițătorului | 100μm |
| Emițător Pitch | 200μm |
| Factorul de umplere | 50% |
| Lățimea barei | 10000μm |
| Lungimea cavitatii | 1500μm |
| Grosime | 130μm |
| Electric | |
| Curent de funcționare Iop | 105A |
| Curent de prag Ith | 18A |
| Tensiune de operare Vop | 1.8V |
| Eficienta conversiei | 55% |
| Termic | |
| Temperatura de Operare | 15-35℃ |
| Coeficientul de temperatură al lungimii de undă | 0,28 nm/℃ |
Tag-uri populare: 100w 780nm furnizori de cip bară laser cu diodă, producători China, fabrică, en-gros, fabricat în China