00W 808nm cu diodă cu semiconductor montat, bară laser și cipuri multiemițătoare cu laser semiconductor pentru procesarea materialelor
Caracteristici:
- Cip laser de mare putere 300W
- lungime de undă centrală de 808 nm
- Mod de lucru QCW, 60 emițători
- Cipul nostru laser cu luminozitate ridicată, fiabilitate ridicată și stabilitate ridicată
- Disponibil cu orice configurație răcită cu canal Mirco
Aplicatii:
- Sursa de lumina laser
- Prelucrarea directă a materialului
- Sentirea lidarului
Fișa cu date
Nr. articol: LC808SB300
Nume articol: Chip bară laser semiconductor 808nm
| Optic | |
| Lungimea de undă centrală | 808nm |
| Putere de ieșire | 300W |
| Modul de lucru | QCW |
| Lățimea spectrului | 4nm |
| Numărul emițătorului | 60 |
| Lățimea emițătorului | 120 |
| Latimea cavitatii | 160 |
| Factorul de umplere | 75% |
| Lățimea barei | 10000 |
| Lungimea cavitatii | 1500 |
| Grosime | 130 |
| Divergența rapidă a axei (FWHM) | 39 de grade |
| Divergență lentă a axei (FWHM) | 12 grade |
| Modul de polarizare | TE |
| Eficiența pantei | 1.15W/A |
| Electric | |
| Curent de funcționare Iop | 280A |
| Curent de prag Ith | 30A |
| Tensiune de operare Vop | 1.9V |
| Eficiența conversiei puterii | |
| Termic | |
| Temperatura de operare | 25 de grade |
| Coeficientul de temperatură al lungimii de undă | 0,3 nm/grad |
Desen:
Cipurile cu bandă cu diodă laser sunt napolitane goale în care mai multe cipuri laser sunt combinate într-o bandă care combină puterea laserelor individuale pentru a produce zeci sau chiar sute de wați de putere. Aplicațiile principale pentru cipurile cu diode laser sunt medicina, procesarea cu laser și comunicațiile optice-în spațiu liber.
Chipurile cu tije cu diode laser sunt dispozitive cu laser cu semiconductor de mare-putere, constând dintr-o serie de diode laser individuale fabricate pe un singur cip. Cipurile cu tije cu diode laser sunt utilizate într-o varietate de aplicații, inclusiv procesarea materialelor, fabricarea dispozitivelor medicale, imprimarea și imagistica.
Fiecare diodă laser individuală dintr-o bandă de diodă laser este proiectată să emită lumină într-un interval spectral îngust, de obicei în regiunea infraroșu apropiat. Puterea de ieșire a fiecărei diode laser variază de la câteva sute de miliwați la câțiva wați, în funcție de designul și dimensiunea dispozitivului. Cipurile de bandă cu diode laser pot emite lumină fie în modul de undă continuă (CW), fie în modul pulsat. În modul CW, dioda laser emite un flux continuu de lumină, în timp ce în modul în impulsuri, dioda laser emite impulsuri scurte de lumină de-intensitate mare.
Procesul de fabricare a cipurilor de bandă cu diode laser implică de obicei creșterea epitaxială a straturilor active și de placare pe un substrat, urmată de fotolitografie și gravare pentru a defini structura dispozitivului. Diode laser individuale sunt apoi formate prin tăierea dispozitivului în bucăți mai mici, fiecare conținând una sau mai multe diode laser.
Cipurile cu diode laser sunt adesea ambalate cu componente optice și electronice suplimentare pentru a cupla eficient lumina în fibră sau alte sisteme de transmisie. Pachetul oferă, de asemenea, management termic pentru a disipa căldura generată de puterea mare de ieșire a dispozitivului.
În general, cipurile cu diode laser oferă putere mare și luminozitate ridicată, făcându-le potrivite pentru o gamă largă de aplicații industriale și științifice.
Tag-uri populare: 300W 808nm Furnizori de bare și cipuri cu diode cu semiconductor montate, producători China, fabrică, en-gros, fabricate în China