Diodele de cristal pentru un semiconductor de tip p și formarea joncțiunii pn semiconductoare de tip n, în stratul de încărcare spațială se formează pe ambele părți ale interfeței și de atunci a construit un câmp electric. Atunci când nu există tensiune externă, rezultatul joncțiunii pn pe ambele părți ale curentului de difuzie a gradientului de concentrație a purtătorului și a construit un câmp electric de curent de deriva în echilibru electric este același.
Când exteriorul, atunci când există un decalaj pozitiv de tensiune, câmpul electric extern și construirea efectului de inhibare reciprocă a câmpului electric pentru a crește difuzia purtătorilor a provocat curentul înainte.
Când exteriorul, atunci când există o tensiune de polarizare inversă, construirea câmpului electric de către câmpul electric extern și consolidarea și formarea unui anumit interval de tensiune inversă a valorii tensiunii de polarizare inversă a curentului de saturație inversă I0.
Când tensiunea inversă într-un anumit grad, intensitatea câmpului electric al joncțiunii pn în procesul de multiplicare a purtătorului stratului de încărcare spațială atinge o valoare critică, produce un număr mare de perechi electron-gaură, este atât de mare încât se produce curentul de rupere inversă, cunoscut sub numele de fenomen de defalcare a diodelor.